|
|
UV-мембрана в процессе уменьшения тонкого разреза чипа с описанием характеристик синей мембраны
2
Источник:微信公众号URL:https://mp.weixin.qq.com/s/7lL11_F-UrQOOaTpqCrZQg Перед тем как уменьшить тонкость, Wafer приклеивает липкую мембрану к передней стороне Wafer, которая служит для того, чтобы закрепить чип спереди Wafer, который позволяет мельничной машине шлифовать силиконовые пластины сзади Wafer. Толщина силиконовой пластины, как правило, составляет около 700 м, а после шлифования, толщина Wafer меняется до 200 м, или даже до 120 м, в зависимости от условий применения чипа и требования клиента, т.е. процесса уменьшения тонкости. Wafer перед тем, как HuaPian, будет Wafer сзад липк сло мембра, рол мембра заключа в будет чип прилипл к мембра, во врем сохран зерн реза, сокращен во врем реза, котор нервн, обеспеч зерн в ход обычн телепортирова смещен и пада не будет, посл т.е. чип на звен процесс греб реза, Как отмечено выше, в процессе уменьшения тонкого сечения чипа используется мембрана, используемая для фиксирования Wafer и фиксированного чипа. В процессе производства, мембрана обычно использует UV или голубую мембрану. UV и голубая мембрана играют очень важную роль в процессе деления чипа тонким разрезом, но между ними есть существенная разница. 1、Свойство UV и синей мембраны ρuv мембра и голуб мембра липк, сво липк степен использова липк стриптиз градус заяв, что обычн патрул использова N / 20 мм ил N / 25 мм, например 1 N/два десятилет mm's тест ширин 20 мм, смысл 180 ° стриптиз точк зрен с бет адмира котор обб сил явля 1 N.
Рисунок 1 универсальная UV-мембранная схема Пленка UV обычно называется ультрафиолетовой лентой с относительно высокой ценой и более коротким периодом неиспользованного времени, она делится на три вида высоколипкой, средней и низкой вязкости, которые являются очень липкими в случае высокой вязкости UV и имеют очень высокую вязкость во время ультрафиолетового облучения, при этом липучка составляет от 5 000 м /20 м до 12 000 м /20 мм, или около того. Но после того, как продолжительность ультрафиолетового освещения увеличилась и интенсивность облучения увеличилась, степень вязкости уменьшается ниже 1 000 мn /20 мм; Для малоэластичных UV-мембран, которые не подвергаются облучению UV, их эластичность составляет около 1 000 мn /20 мм в то время как после облучения ультрафиолетовым излучением их вязкость опускается до 100 мн /20 мм;
Обычно при уменьшении тонкости микрочипа используется пленка UV, а при большом чипе — голубая пленка, потому что слизистость UV может использоваться для управления временем и интенсивностью облучения ультрафиолетовым излучением, чтобы не дать чипу протечь или не лопнуть во время захвата. Если чип, после уменьшения тонкого разреза, непосредственно перевернутый лейкопластырь, то лучше всего использовать UV-мембрану, поскольку чип, используемый в перевернутой линии маркировки, обычно меньше, и наперсток устройства закрепляет чип в нижней части синей мембраны.
Голубая пленка может быть использована при изменении степени вязкости под воздействием температуры и при большей степени вязкости сама по себе, поэтому более обширные чипы с общей площади или техника обработки после тонкого разреза Wafer могут использоваться непосредственно после обработки, а не непосредственно для Inlay. На Дан этап, чип размер меньш 1 мм чип, обычн использ модел за ⁃ 184 низк липк ультрафиолетов мембра. UV мембрана имеет только низовые и липкие слои, которые являются материалами ПВХ, толщиной 80 м, липкой лаком для акриловой смолы (Acrylic), толщиной 10 м и липкой пигментной краской (acrylic), до того, как она была подвержена ультрафиолетовому излучению, и после того, как она была освещена ультрафиолетовым излучением, Степень вязкости составляет 70 мn /25 мм, так что область вязкости может быть изменена внутри (70 — 1 100) мn /25 мм. Модел ультрафиолетов мембра нескольк особен: перв, модел ультрафиолетов мембра, на поверхн, использова выдел ракурс 1,8 ° провод выдел, скорост может достига 300 mN / 25 мм; Во-вторых, ультрафиолетовая пленка определяет собственные условия облучения, плотность ультрафиолетового излучения составляет 230m W /cm2, а мощность ультрафиолетового излучения — 190 МДЖ/см 2; В-третьих, ультрафиолетовая волна излучения должна быть около 365 нм. При практическом использовании UV-мембраны могут иметь некоторые проблемы, связанные с протечкой чипа в производственных линиях переупаковки, в основном из-за того, что мощность ультрафиолетового оборудования не соответствует установленным требованиям, и поэтому в процессе облучения необходимо увеличить время, чтобы компенсировать недостаточную интенсивность облучения. При столкновении с недостаточной мощностью ультрафиолетовых ламп (энергии) рекомендуется: во-первых, убрать уф-лампы и абажуры, чтобы улучшить отражательный эффект ультрафиолетового света; Во-вторых, необходимо заменить ультрафиолетовые лампы, которые должны быть заменены при длительности жизни 1 500 г. В-третьих, увеличить мощность в пределах длины единицы ультрафиолетовых ламп с гарантией 80-120 вт/см; Во-четвертых, после того, как ультрафиолетовые лампы используются некоторое время, они должны вращаться и использоваться снова 14. Применя D тип ⁃ 184 ультрафиолетов мембра практик обработа как Wafer, когд облучен врем контролирова в 40-45 s, задн част инкапсуляц технологическ прошл очен, есл меньш врем, в то врем как появ утечк собира даж нервн хрупк чип, так образ согласн ультрафиолетов мембра свойств, корректировк липк градус, повыс эффективн чип индустриализац.
По сравнению с синей мембраной, эластичная деформация UV делает его превосходным, главным образом для того, чтобы закрепиться в Wafer в процессе уменьшения тонкости; Используется для защиты чипа во время шлифования Wafer, чтобы не дать ему упасть или обвалиться; Используется для переворачивания и транспортировки Wafer, чтобы предотвратить отслоение чипа, который уже был разрезан. Спецификация использует различные параметры UV и blue мембраны, которые могут быть выбраны в соответствии с технологией, необходимой для обработки чипа, при выборе подходящей UV-мембраны или blue-мембраны, что может быть одновременно экономичным и ускоряющим производственные процессы чипа. (文章来源:元器件封装测试之友)
Классификация статей:
Отраслевая наука
|